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簡(jiǎn)要描述：HCTD高溫鐵電測(cè)試儀/參數(shù)分析儀用于鐵電體的鐵電測(cè)量，。本測(cè)試系統(tǒng)主要包括可編程信號(hào)源、微電流放大器、積分器、放大倍數(shù)可編程放大器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)/模轉(zhuǎn)化器、微機(jī)接口部分、微機(jī)和應(yīng)用軟件等部分組成。
產(chǎn)品型號(hào)：HCTD-800廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-06-04訪 問(wèn) 量：2845產(chǎn)品分類
Product Category詳細(xì)介紹
| 品牌 | HUACE/北京華測(cè) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子/電池,航空航天,綜合 |
|---|
高溫鐵電測(cè)試儀-
產(chǎn)品名稱：高溫鐵電測(cè)試儀-
產(chǎn)品型號(hào)：HCTD-800
品牌：北京華測(cè)
產(chǎn)品介紹
本測(cè)試儀用于鐵電體的鐵電測(cè)量，。本測(cè)試系統(tǒng)主要包括可編程信號(hào)源、微電流放大器、積分器、放大倍數(shù)可編程放大器、模/數(shù)轉(zhuǎn)換器數(shù)/模轉(zhuǎn)化器、微機(jī)接口部分、微機(jī)和應(yīng)用軟件等部分組成。
本測(cè)試系統(tǒng)采用虛地模式測(cè)量電路，與傳統(tǒng)的Sawyer-Tower模式相比，此電路取消了外接電容，可減小寄生元件的影響。此電路的測(cè)試精度僅取決于積分器積分電容的精度，減少了對(duì)測(cè)試的影響環(huán)節(jié)，比較容易定標(biāo)和，并且能實(shí)現(xiàn)較高的測(cè)量準(zhǔn)確度，它不僅能畫出鐵電薄膜的電滯回線，還可以定量得到鐵電薄膜材料的飽和極化ps、剩余極化Pr、矯頑場(chǎng)Ec、漏電流Ik等參數(shù)，以及對(duì)鐵電薄膜材料鐵電疲勞、鐵電保持的測(cè)試。能夠較全面準(zhǔn)確地測(cè)量鐵電薄膜的鐵電。儀器采用一體化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)測(cè)試結(jié)果全數(shù)字化，操作簡(jiǎn)單方便。
鐵電材料參數(shù)測(cè)試儀主要是由正弦波、三角波、間歇三角波、梯形波發(fā)生器及正、負(fù)矩形脈沖和雙極性雙脈沖發(fā)生器外加鐵電材料電滯回線、I-V特性及開關(guān)特性測(cè)量電路構(gòu)成。適用于鐵電薄膜、鐵電體材料的電測(cè)量，可測(cè)量鐵電薄膜電滯回線、I-V特性及開關(guān)特性，可準(zhǔn)確地測(cè)出具有非對(duì)稱電滯回線鐵電薄膜的Pr值。可測(cè)鐵電體材料的電滯回線及IV特性。同時(shí)也可作為一臺(tái)通用信號(hào)發(fā)生器、高壓信號(hào)發(fā)生器使用。
產(chǎn)品特點(diǎn)
電滯回線測(cè)量、鐵電材料的飽和極化±Ps、剩余極化±Pr、矯頑場(chǎng)±Ec、電容量C等參數(shù)
鐵電疲勞測(cè)量
鐵電保持測(cè)量
電阻測(cè)量
漏電流測(cè)量
精度高的三維移動(dòng)平臺(tái)
軟件功能
HC5000系列測(cè)試系統(tǒng)的軟件平臺(tái)hacepro,采用labview系統(tǒng)開發(fā)，符合導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料的各項(xiàng)測(cè)試需求，具備穩(wěn)定性與an全性，并具備斷電資料的保存功能，圖像資料可保存恢復(fù)。兼容，XP、win7、win10系統(tǒng)。
友善的使用界面
多語(yǔ)界面：支持中文/英文 兩種語(yǔ)言界面；
即時(shí)監(jiān)控：系統(tǒng)測(cè)試狀態(tài)即時(shí)瀏覽，無(wú)需等待；
圖例管理：通過(guò)軟件中的狀態(tài)圖示，一目了然，立即對(duì)狀態(tài)說(shuō)明，了解測(cè)試狀態(tài)；
使用權(quán)限：可設(shè)定使用者的權(quán)限，方便管理；
故障狀態(tài)：軟件具有設(shè)備的故障報(bào)警功能。
硬件支持
集成Intel@Celeron1037U1.8GHZ雙核處理器
集成打印機(jī)接口，可擴(kuò)充8個(gè)USB接口
支持16G內(nèi)存，60G固體硬盤，讓系統(tǒng)運(yùn)行流暢。
應(yīng)用領(lǐng)域
鐵電材料的電滯回線（動(dòng)態(tài)與靜態(tài)）、漏電流等特性。
測(cè)量記錄在薄膜樣品上施加階躍電壓時(shí)的電流響應(yīng)。
超晶格材料在方波脈沖電壓激勵(lì)下的自漏電特性。
技術(shù)參數(shù)
1、電壓范圍：±30V（可擴(kuò)展至±4KV）
2、輸出電流峰值：±1A
3、負(fù)荷電容max：1μF
4、動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率：0.001Hx～100kHz
5、鐵電材料漏電流的測(cè)試：10pA～100mA
6、脈沖寬度min：25ns
7、上升時(shí)間：7ns
8、極化測(cè)試精準(zhǔn)到：10fC
9、塊體材料樣品盒可進(jìn)行室溫～1200℃電滯回線測(cè)定
HCTD高溫鐵電測(cè)試儀/參數(shù)分析儀
HCTD高溫鐵電測(cè)試儀/參數(shù)分析儀
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